Ultraheli pihustusmasin - kantakse pooljuhtide vahvli kattekihile
Litograafia: kokkupuude ja korrosioonivastane kattekiht
Kokkuvõte
Pooljuhtide tootmisel luuakse fotolitograafia meetodite abil kiipidele struktuurid. Fotoveering, peamiselt vastupidav kiht, kaetakse kiibi ülaosas, et moodustada mustri, ja viiakse seejärel aluseks olevasse kihti.
Fotolitograafia sisaldab järgmisi protsessi etappe:
1. Lisage liim ja eemaldage pinna niiskus
2. korrosioonivastane katmine
3. korrosioonikindla kihi stabiliseerimine
4. kokkupuude
5. Korrosiooni inhibiitorite areng
6. korrosiooni inhibiitori kõvendamine
7. ülevaatus
Mõnes protsessis kasutatakse ioonide implanteerimist maskina, et katta teatud alad, mida ei tohiks lehvitada. Sel juhul ei lähe mustriline vastupidavus kiht aluseks olevasse kihti.
Kate
Kiibi katmine saavutatakse pöörleva padruni keerutamismeetodi abil. Madala pöörlemise korral pööratakse takistust ja tasandatakse seejärel kiirusega 2000–6000 p / min. Järgneva protsessi kohaselt võib takistuskihi paksus ulatuda kuni 2 mikronini. Paksus sõltub vastupanu pöörlemiskiirusest ja viskoossusest.
Ühtse kihi saamiseks sisaldab takistus vett ja lahustit, mis seda pehmendab. Stabiilsuse põhjustel lõõmutatakse vahvlit hiljem (post/pehme küpsetatud) umbes 100 -kraadisel C. Vesi ja lahusti aurustuvad osaliselt ning järgnevaks kokkupuuteks tuleb säilitada osa niiskust.
Vahvlikat
Vahvli katmine on ainulaadne protsess, mis hõlbustab kiibide sidemete automaatset kasutamist vahvli tasemel, millele järgneb B-etapp kiibide sidumiskile moodustamiseks. Funsonici pihustide kattetehnoloogia sobib vahvli katteks, mis võib saavutada protsessi kiiruse, paksuse juhtimise ja materiaalse ühtluse. Pärast kuuma või UVB -etapi ja vahvli lõikamist saavutatakse kiibiühendused kuumutamise ja rõhu abil, et saada ühtlased liimjooned ja väikesed, kontrollitud nurgad. Vahvli tagaküljel olev kleepkate on ideaalne valik kiibi paigaldamiseks, kus nurga juhtimine on ülioluline.
Ka kaetud pooljuhtide vahvlid, eriti räni vahvlid, sobivad pooljuhtide tööstuses kasutamiseks, eriti tihedusega integreeritud elektrooniliste komponentide, näiteks mikroprotsessorite või hoiukrõpsude tootmiseks. Kaasaegse mikroelektroonika puhul on vaja rangeid nõudeid globaalsele ja kohalikule tasapinnale, servade geomeetriale, paksuse jaotusele, kohalikule tasapinnale ühel küljel (tuntud kui nanotopoloogia) ja defektivabad lähtematerjalid (nn substraadid).
Epitaksiaalsete vahvlite epitaksiaalsete kattete hoiustamiseks epitaksiaalses reaktoris lastakse läbi reaktori sadestusgaasid, et deponeerida epitaksiaalseid materjale pooljuhtide vahvli pinnale. Lisaks sellele, et see deponeeritakse pooljuhtide vahvlitesse, ladestub materjal ka epitaksiaalse reaktori sees. Sel põhjusel on tavaliselt vaja perioodiliselt eemaldada jäägid, mis on kogunenud epitaksiaalsete reaktorite pindadele sadestumise ajal kontrollimata viisil.
Näiteks kui virtuaalne vahvel on paigutatud epitaksiaalse reaktori pjedestaalile, läbib vastava korduva puhastusprotsessi ajal pärast teatud arvu kaetud pooljuhtide vahvleid, esialgne söövitusgaas läbi epitaksiaalse reaktori ja silikooni ladestumise gaasit, mida kasutati silikooni ladestumiseks. seejärel läbitakse epitaksiaalse reaktori kaudu.
Gaaside nagu vesinikkloriid söövitades saab eemaldada eelneva katteprotsessi jääkmaterjalid ja gaaside sadestades saab epitaksiaalse reaktori sisemuse pitseerida näiteks lisandite vältimiseks (hajudes pinnast epitaksiaalsesse kihti) hiljem kaetud pooljuhtide vahvli jõudmisest.
Kuid pooljuhtide vahvlite katteprotsessi ajal toimuvad geomeetrilise kuju muutused üksikute pooljuhtide vahvlite vahel. Eriti katte servapiirkonnas on oluline erinevus, mis on kahjulik kaetud pooljuhtide vahvli kvaliteedile. Näiteks võivad servapiirkonnad olla saadaval või on saadaval ainult madalama kvaliteediga nõuetega rakenduste jaoks.
Näiteks katses pooljuhtide vahvlite servapiirkonnad kontrollitud viisil katta, seades epitaksiaalsete kihtide deponeerimiseks kasutatud sadestusgaasi gaasi voolukiiruse.
Seetõttu loodetakse see võimaluse vältida või vähemalt vähendada pooljuhtide vahvlite geomeetrilise kuju muutusi epitaksiaalselt.
